传统硅材料难以满足新兴需求，碳化硅对硅的部分替代是顺应时代和科技趋势的必然。硅因其自然界储量大，制备相对简单等优点，成为了目前制造半导体芯片和器件最为主要的原材料，目前90%以上的半导体产品是以硅为衬底制成的。然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足5G基站、新能源车及高铁等新兴应用对器件高功率及高频性能的需求。第三代半导体材料中的碳化硅（SiC）有望部分替代硅，成为制备高压及高频器件新的衬底材料。在新的时代背景下，市场对高压和高频器件的需求越来越高，碳化硅对硅的部分替代是顺应时代和科技趋势的必然。
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