碳化硅：第三代半导体突破性材料。SiC是第三代半导体材料，其具备极好的耐压性、导热性和耐热性，是制造功率器件、大功率射频器件的突破性材料。
根据Wolfspeed预计，2022年全球碳化硅器件市场规模达43亿美元，2026年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元。当前SiC功率器件价格较高，是硅基IGBT的3~5倍左右，但凭借优异的系统节能特性，SiC器件开始在新能源汽车、光伏、储能等领域替代硅基器件。
SiC引领行业变革，新需求快速涌现。新能源汽车是碳化硅功率器件下游第一大应用市场，根据我们测算，2026年全球应用于新能源汽车主驱逆变器的SiC器件市场规模有望达44亿美元。为了提升电动汽车充电速度、缓解里程焦虑，小鹏、比亚迪、长城、保时捷、现代等整车厂陆续推出800V高压平台车型，有望推动SiC器件在新能源汽车中渗透率进一步提升。
国际巨头垄断行业，国产厂商加速破局。当前全球SiC衬底总年产能约在40~60万片等效6英寸，无法满足下游旺盛需求。根据Yole预测，随着衬底厂商技术进步、产能进一步扩张，2025年6英寸导电型衬底价格有望降至590美元，这将带动SiC器件渗透率提升，有望在未?
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