800V高压平台加速落地，2022-2023年快速上量有望激活SiC一池春水。800V高压快充平台为解决里程焦虑的破局者，国内外车企从2021年起掀起一轮800V平台车型发布潮，国内造车新势力及传统汽车厂商旗下的智能电动品牌纷纷入场，以抢攻大功率快充高地。伴随高压平台逐渐落地，具有耐高压、低阻抗、无拖尾电流等优势的SiC有望成为首选。
原料降价叠加优异性能，SiC有望突破成本藩篱，SiCMOSFET或将于2023H2达到价格甜蜜点，带动更多车端逆变器应用。基于碳化硅电驱动系统可降低4.43%的典型城市工况行驶电耗的假设，由于Si方案提高续航需增加电池容量并在一定程度上增加电耗，因此若等效SiC方案的续航，Si方案需明显提高电池容量，从这一方面来看SiC方案可以节约电池容量扩大所带来的成本提升。若SiC晶圆价格年降10%左右，则有望在2023H2获得正的成本节约值，SiCMOSFET6寸晶圆价格3518美元/片时整体效益达到平衡。
乘新能源车之风，功率碳化硅器件市场扬帆起航。在800V平台+SiC双重渗透下，我们预计国内SiC功率器件市场规模将在23/24/25/26年分别达到5.30/9.23/15.71/25.59亿美元，CAGR高达69.02%。我
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