N：指9的个数，4N为99.99%，5N为99.999%。
工业增加值：工业增加值是指工业企业在报告期内以货币形式表现的工业生产活动的最终成果；是工业企业全部生产活动的总成果扣除了在生产过程中消耗或转移的物质产品和劳务价值后的余额；是工业企业生产过程中新增加的价值。
吸附塔：将固体吸附剂装填于塔中，使进入塔内的气体或液体中某些组分被吸附剂的多孔结构所吸附，从而实现组分分离的设备。
热交换器：用来使热量从热流体传递到冷流体，以满足规定的工艺要求的装置，是对流传热及热传导的一种工业应用。
空分设备：通过压缩循环深度冷冻的方法把空气变成液态，再经过精馏而从液态空气中逐步分离生产出氧气、氮气及氩气等惰性气体的设备。
硅烷：硅烷即硅与氢的化合物，是一系列化合物的总称。
化学气相沉积：一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。
砷烷：砷烷一般指砷化氢，化学式AsH?。
载气：以一定的流速载带气体样品或经气化后的样品气体一起进入色谱柱进行分离，再将被分离后的各组分载入检测器进行检测，最后流出色谱系统放空或收集，载气只是起载带而基本不参于分离作用。
膜压机：靠隔膜在气缸中作往复运动来压缩和输送气体。
预热：气割开始时，用预热火焰将起割处的金属预热到燃烧温度。
燃烧：向被加热到燃点的金属喷射切割氧，使金属剧烈地燃烧。
吹渣：金属燃烧氧化后，生成熔渣和热量，熔渣被切割氧吹除，所产生的热量和预热火焰热量，将下层金属加热到燃点，这样继续下去就将金属逐渐切割穿，随焊炬的移动，按所需的形状和尺寸气割。
光刻：是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。
刻蚀：用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。
掺杂：掺杂是指多种物质混杂在一起，在化工、材料等领域中，掺杂通常是指为了改善某种材料或物质的性能，有目的在这种材料或基质中，掺入少量其他元素或化合物。
化学气相沉积法：ChemicalVaporDeposition简称CVD，是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。
辉光放电：指低气压中显示辉光的气体放电现象，即是稀薄气体中的自持放电现象。
收率：也称作反应收率，一般用于化学及工业生产，是指在化学反应或相关的化学工业生产中，投入单位数量原料获得的实际生产的产品产量与理论计算的产品产量的比值。
